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三星電子官方宣布，他們已經開始量產采用12nm級工藝的DDR5 DRAM內存芯片。這種新內存具有每顆16Gb(2GB)的容量，最高速度可達7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，相當于每秒能處理兩部30GB的超高清電影。
相較于上一代產品，12nm DDR5內存的功耗降低了23％，同時晶圓生產率提高了20％，對于服務器和數據中心來說，這對于節能減排非常有益。
三星透露，12nm級工藝的開發基于一種新型的高K材料，該材料可以提高電池電容，使得數據信號的電位差更加明顯，進而更容易準確區分。
此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的突破。值得一提的是，去年12月，三星已完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平臺的兼容性評估。
小編點評：三星宣布已開始大規模量產12納米工藝的DDR5 DRAM，這將進一步鞏固其在存儲芯片領域的領先地位。新內存的功耗降低23％，晶圓生產率提高20％，且具備出色的處理速度和節能性能，有望滿足數據中心、AI和新興計算應用的需求。
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